Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Impact de la Modulation de Largeur d'Impulsion sur la Dérive des Composants à Semiconducteurs de Puissance
Contrat
Thèse
Description de l'offre
La modulation de largeur d'impulsion (MLI), également connue sous le nom de Pulse Width Modulation (PWM) en anglais, est une technique fondamentale en électronique de puissance. Elle sert à contrôler et à réguler la puissance fournie par un circuit en modifiant la largeur des impulsions électriques de commande. Dans le cadre d'un onduleur de traction automobile, cette modulation de largeur d'impulsion appliquée à un bras de pont à base de transistors de puissance permet de transformer le courant continu de la batterie en un courant alternatif envoyé aux enroulements du moteur tout en améliorant le taux de distorsion harmonique. L'impact de la MLI sur les performances et la fiabilité du moteur a été largement étudié depuis de nombreuses années. En revanche, l'impact de la MLI sur la fiabilité des composants qui constituent le module de puissance, a été moins étudié, et ce d'autant plus pour les modules de puissance à base de composants grand gap (typiquement SiC) qui sont relativement récents (et adoptés en masse depuis moins de 10 ans).
L'objectif principal de cette thèse de doctorat est donc de comprendre et de modéliser l'impact des différentes modulations de largeur d'impulsion (MLI) sur la dérive des composants à semiconducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC).
Cette thèse vise à établir un lien entre les stress subis par les composants SiC et la dérive de leurs paramètres clés, tout en proposant une modulation MLI optimale pour maximiser les performances à long terme et la durée de vie des systèmes électroniques de puissance. En combinant des approches expérimentales et théoriques, cette recherche contribuera à une meilleure compréhension et à une amélioration des technologies de modulation de largeur d'impulsion, essentielles pour l'électronique de puissance moderne.
Université / école doctorale
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
Electronique de puissance, physique du semiconducteur
Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2025
Personne à contacter par le candidat
PEREZ Gaetan < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DES/LITEN/DEHT/S2TC/L2EP
CEA - 17 avenue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
04 38 78 19 00
Tuteur / Responsable de thèse
LESECQ Suzanne < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/DSCIN/DSCIN/LIIM
CEA - 17 avenue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
+33 (0)4 38 78 55 11
En savoir plus
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Impact de la Modulation de Largeur d'Impulsion sur la Dérive des Composants à Semiconducteurs de Puissance
Contrat
Thèse
Description de l'offre
La modulation de largeur d'impulsion (MLI), également connue sous le nom de Pulse Width Modulation (PWM) en anglais, est une technique fondamentale en électronique de puissance. Elle sert à contrôler et à réguler la puissance fournie par un circuit en modifiant la largeur des impulsions électriques de commande. Dans le cadre d'un onduleur de traction automobile, cette modulation de largeur d'impulsion appliquée à un bras de pont à base de transistors de puissance permet de transformer le courant continu de la batterie en un courant alternatif envoyé aux enroulements du moteur tout en améliorant le taux de distorsion harmonique. L'impact de la MLI sur les performances et la fiabilité du moteur a été largement étudié depuis de nombreuses années. En revanche, l'impact de la MLI sur la fiabilité des composants qui constituent le module de puissance, a été moins étudié, et ce d'autant plus pour les modules de puissance à base de composants grand gap (typiquement SiC) qui sont relativement récents (et adoptés en masse depuis moins de 10 ans).
L'objectif principal de cette thèse de doctorat est donc de comprendre et de modéliser l'impact des différentes modulations de largeur d'impulsion (MLI) sur la dérive des composants à semiconducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC).
Cette thèse vise à établir un lien entre les stress subis par les composants SiC et la dérive de leurs paramètres clés, tout en proposant une modulation MLI optimale pour maximiser les performances à long terme et la durée de vie des systèmes électroniques de puissance. En combinant des approches expérimentales et théoriques, cette recherche contribuera à une meilleure compréhension et à une amélioration des technologies de modulation de largeur d'impulsion, essentielles pour l'électronique de puissance moderne.
Université / école doctorale
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes
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Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
Electronique de puissance, physique du semiconducteur
Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2025
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PEREZ Gaetan < email supprimé pour raison de sécurité >
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Tuteur / Responsable de thèse
LESECQ Suzanne < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/DSCIN/DSCIN/LIIM
CEA - 17 avenue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
+33 (0)4 38 78 55 11
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