Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Compréhension et optimisation de la robustesse électrothermique des dispositifs de puissance avançés en SiC
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur aux propriétés intrinsèques supérieures à celles du silicium pour les applications électroniques à haute température et à forte puissance. Il est anticipé que les dispositifs en SiC soient largement utilisés dans la transition vers l'électrification et les nouvelles applications de gestion de l'énergie. Pour exploiter pleinement les propriétés supérieures du SiC, les futurs dispositifs semi-conducteurs seront utilisés dans des conditions de polarisation et de températures extrêmes. Ces dispositifs doivent fonctionner en toute sécurité à des densités de courant, des dV/dt et des températures de jonction plus élevées que les dispositifs en Si.
L'objectif de cette thèse est d'étudier les dispositifs SiC fabriqués au LETI dans ces conditions de fonctionnement extrêmes, et d'optimiser leur conception pour utiliser pleinement le potentiel théorique du SiC. Le travail de thèse comprendra plusieurs phases qui seront fortement couplées :
Un volet caractérisation electro-thermique avancée (50%), en proposant de nouvelles approches de tests sur composants en boitier ou sur support adapté, en utilisant des outils d'intelligence artificielle (IA) pour l'extraction et le traitement des données. La travail inclura une adaptation des méthodologies de mesures standard aux spécificités de commutation du SiC.
Une évaluation (15%) des paramètres de conception et technologiques responsables des limites de fonctionnement des composants
Un volet caractérisation physico-chimique (15%) pour l'analyse des défaillances sous ces conditions extrêmes
Un volet d'inclusion de modèles prédictifs (20%) de sensibilité des architectures aux conditions extrêmes et aux défauts basée sur la modélisation.
Université / école doctorale
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
BAC + 5 électronique
Demandeur
Disponibilité du poste
01/04/2025
Personne à contacter par le candidat
GODIGNON Philippe < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/DCOS/SITEC/LAPS
17 rue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
0438783643
Tuteur / Responsable de thèse
GODIGNON Philippe < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/DCOS/SITEC/LAPS
17 rue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
0438783643
En savoir plus
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Compréhension et optimisation de la robustesse électrothermique des dispositifs de puissance avançés en SiC
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur aux propriétés intrinsèques supérieures à celles du silicium pour les applications électroniques à haute température et à forte puissance. Il est anticipé que les dispositifs en SiC soient largement utilisés dans la transition vers l'électrification et les nouvelles applications de gestion de l'énergie. Pour exploiter pleinement les propriétés supérieures du SiC, les futurs dispositifs semi-conducteurs seront utilisés dans des conditions de polarisation et de températures extrêmes. Ces dispositifs doivent fonctionner en toute sécurité à des densités de courant, des dV/dt et des températures de jonction plus élevées que les dispositifs en Si.
L'objectif de cette thèse est d'étudier les dispositifs SiC fabriqués au LETI dans ces conditions de fonctionnement extrêmes, et d'optimiser leur conception pour utiliser pleinement le potentiel théorique du SiC. Le travail de thèse comprendra plusieurs phases qui seront fortement couplées :
Un volet caractérisation electro-thermique avancée (50%), en proposant de nouvelles approches de tests sur composants en boitier ou sur support adapté, en utilisant des outils d'intelligence artificielle (IA) pour l'extraction et le traitement des données. La travail inclura une adaptation des méthodologies de mesures standard aux spécificités de commutation du SiC.
Une évaluation (15%) des paramètres de conception et technologiques responsables des limites de fonctionnement des composants
Un volet caractérisation physico-chimique (15%) pour l'analyse des défaillances sous ces conditions extrêmes
Un volet d'inclusion de modèles prédictifs (20%) de sensibilité des architectures aux conditions extrêmes et aux défauts basée sur la modélisation.
Université / école doctorale
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
BAC + 5 électronique
Demandeur
Disponibilité du poste
01/04/2025
Personne à contacter par le candidat
GODIGNON Philippe < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/DCOS/SITEC/LAPS
17 rue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
0438783643
Tuteur / Responsable de thèse
GODIGNON Philippe < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/DCOS/SITEC/LAPS
17 rue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
0438783643
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