Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Contacts en siliciures supraconducteurs sur substrats ultra dopés par recuit laser nanoseconde
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Dans la course à la construction d'un ordinateur quantique, la fabrication de dispositifs basés sur la technologie FD-SOI au silicium, robuste et évolutive, suscite un vif intérêt. Le transistor à effet de champ Josephson (JoFET) en est un exemple, dont le fonctionnement repose sur la grande transparence de l'interface entre les régions source/drain supraconductrices et le canal semi-conducteur. Cette transparence pourrait être améliorée en dopant les régions source/drain, ce qui permettrait de réduire la hauteur de la barrière de Schottky aux interfaces supraconducteur/semi-conducteur.
Ce doctorat vise à développer des contacts siliciures supraconducteurs hautement transparents sur une ligne de production de 300 mm à l'aide du recuit par laser pulsé nanoseconde (NPLA). Le NPLA jouera un rôle clé pour atteindre des concentrations de dopage extrêmement élevées dans le silicium [1,2], puis pour former les siliciures supraconducteurs (CoSi2, V3Si) avec un budget thermique minimal et une désactivation minimale des dopants. Une attention particulière sera accordée aux contraintes pendant la formation des siliciures et à leur impact sur la température critique supraconductrice. De plus, la distribution des dopants sera évaluée par tomographie atomique (APT), une technique d'imagerie 3D avancée capable d'imager la distribution des dopants à l'échelle atomique [3]. Enfin, des mesures électriques sur les jonctions et les transistors fabriqués seront effectuées à basse température (< 1 K) afin d'évaluer la transparence des contacts supraconducteurs.
Université / école doctorale
Physique, Sciences de l'Ingénieur, Matériaux, Énergie (PSIME)
Normandie Université
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
M2 physique des matériaux et/ou en nanoscience
Demandeur
Disponibilité du poste
01/09/2026
Personne à contacter par le candidat
DUMAS Paul < correo electrónico eliminado por razones de seguridad >
CEA
DRT/DPFT//LSIT
CEA
17 rue des martyrs 38054 Grenoble FRANCE
Tuteur / Responsable de thèse
LEFLOCH François < correo electrónico eliminado por razones de seguridad >
CEA
DRF/IRIG//PHELIQS
CEA
IRIG/DEPHY/PHELIQS/LaTEQS
17 rue des martyrs 38054 Grenoble FRANCE
04-38-78-48-22
En savoir plus
DPFT/SMIL/LSIT
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Contacts en siliciures supraconducteurs sur substrats ultra dopés par recuit laser nanoseconde
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Dans la course à la construction d'un ordinateur quantique, la fabrication de dispositifs basés sur la technologie FD-SOI au silicium, robuste et évolutive, suscite un vif intérêt. Le transistor à effet de champ Josephson (JoFET) en est un exemple, dont le fonctionnement repose sur la grande transparence de l'interface entre les régions source/drain supraconductrices et le canal semi-conducteur. Cette transparence pourrait être améliorée en dopant les régions source/drain, ce qui permettrait de réduire la hauteur de la barrière de Schottky aux interfaces supraconducteur/semi-conducteur.
Ce doctorat vise à développer des contacts siliciures supraconducteurs hautement transparents sur une ligne de production de 300 mm à l'aide du recuit par laser pulsé nanoseconde (NPLA). Le NPLA jouera un rôle clé pour atteindre des concentrations de dopage extrêmement élevées dans le silicium [1,2], puis pour former les siliciures supraconducteurs (CoSi2, V3Si) avec un budget thermique minimal et une désactivation minimale des dopants. Une attention particulière sera accordée aux contraintes pendant la formation des siliciures et à leur impact sur la température critique supraconductrice. De plus, la distribution des dopants sera évaluée par tomographie atomique (APT), une technique d'imagerie 3D avancée capable d'imager la distribution des dopants à l'échelle atomique [3]. Enfin, des mesures électriques sur les jonctions et les transistors fabriqués seront effectuées à basse température (< 1 K) afin d'évaluer la transparence des contacts supraconducteurs.
Université / école doctorale
Physique, Sciences de l'Ingénieur, Matériaux, Énergie (PSIME)
Normandie Université
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
M2 physique des matériaux et/ou en nanoscience
Demandeur
Disponibilité du poste
01/09/2026
Personne à contacter par le candidat
DUMAS Paul < correo electrónico eliminado por razones de seguridad >
CEA
DRT/DPFT//LSIT
CEA
17 rue des martyrs 38054 Grenoble FRANCE
Tuteur / Responsable de thèse
LEFLOCH François < correo electrónico eliminado por razones de seguridad >
CEA
DRF/IRIG//PHELIQS
CEA
IRIG/DEPHY/PHELIQS/LaTEQS
17 rue des martyrs 38054 Grenoble FRANCE
04-38-78-48-22
En savoir plus
DPFT/SMIL/LSIT
