Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Développement du module de grille pour transistors de puissance verticaux en GaN
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Ce sujet de thèse offre une opportunité unique d'améliorer vos compétences en dispositifs de puissance GaN et de développer des architectures innovantes. Vous travaillerez aux côtés d'une équipe multidisciplinaire spécialisée dans l'ingénierie des matériaux, la caractérisation, la simulation de dispositifs et les mesures électriques.
Les composants de puissance GaN verticaux sont très prometteurs pour les applications de puissance au-delà de la plage du kV. Des transistors avec une architecture 'trench MOSFET' ont été démontrés dans l'état de l'art avec des résultats encourageants. L'empilement de grille de ces dispositifs est un élément clés car il impacte directement leur résistance à l'état passant, la tension de seuil et le signal de commande à appliquer dans un convertisseur de puissance. L'étude proposée se concentrera sur le développement d'empilements de grille innovants capables de supporter des tensions élevées tout en maintenant une tension de seuil et une mobilité de canal à l'état de l'art avec un minimum de piégeage diélectrique. Le travail impliquera l'étude de l'impact des paramètres de procédés de fabrication sur les caractéristiques électriques. Une attention particulière sera à accorder à l'optimisation de la géométrie de la grille par des simulations TCAD pour étudier l'impact sur l'état passant et le claquage. Les améliorations identifiées seront intégrées aux dispositifs fabriqués sur notre ligne de composants de puissance GaN 200mm. Le travail se déroulera au sein du laboratoire des composants de puissance et sera soutenu par plusieurs projets en cours.
Université / école doctorale
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
Ingénieur ou Master 2 - physique des composants microélectroniques
Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2026
Personne à contacter par le candidat
BUCKLEY Julien < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/DCOS//LAPS
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
MINATEC Campus
17 rue des martyrs
F-38054 Grenoble Cedex
FRANCE
(+33) 04 38 78 42 81
Tuteur / Responsable de thèse
SALEM Bassem < email supprimé pour raison de sécurité >
CNRS
LTM Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM) - UMR 5129 CNRS / CEA / UGA
17 Av. des Martyrs, 38054 Grenoble
04.38.78.24.55
En savoir plus
https://www.linkedin.com/in/julien-buckley-6a15784/
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Développement du module de grille pour transistors de puissance verticaux en GaN
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Ce sujet de thèse offre une opportunité unique d'améliorer vos compétences en dispositifs de puissance GaN et de développer des architectures innovantes. Vous travaillerez aux côtés d'une équipe multidisciplinaire spécialisée dans l'ingénierie des matériaux, la caractérisation, la simulation de dispositifs et les mesures électriques.
Les composants de puissance GaN verticaux sont très prometteurs pour les applications de puissance au-delà de la plage du kV. Des transistors avec une architecture 'trench MOSFET' ont été démontrés dans l'état de l'art avec des résultats encourageants. L'empilement de grille de ces dispositifs est un élément clés car il impacte directement leur résistance à l'état passant, la tension de seuil et le signal de commande à appliquer dans un convertisseur de puissance. L'étude proposée se concentrera sur le développement d'empilements de grille innovants capables de supporter des tensions élevées tout en maintenant une tension de seuil et une mobilité de canal à l'état de l'art avec un minimum de piégeage diélectrique. Le travail impliquera l'étude de l'impact des paramètres de procédés de fabrication sur les caractéristiques électriques. Une attention particulière sera à accorder à l'optimisation de la géométrie de la grille par des simulations TCAD pour étudier l'impact sur l'état passant et le claquage. Les améliorations identifiées seront intégrées aux dispositifs fabriqués sur notre ligne de composants de puissance GaN 200mm. Le travail se déroulera au sein du laboratoire des composants de puissance et sera soutenu par plusieurs projets en cours.
Université / école doctorale
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
Ingénieur ou Master 2 - physique des composants microélectroniques
Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2026
Personne à contacter par le candidat
BUCKLEY Julien < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/DCOS//LAPS
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
MINATEC Campus
17 rue des martyrs
F-38054 Grenoble Cedex
FRANCE
(+33) 04 38 78 42 81
Tuteur / Responsable de thèse
SALEM Bassem < email supprimé pour raison de sécurité >
CNRS
LTM Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM) - UMR 5129 CNRS / CEA / UGA
17 Av. des Martyrs, 38054 Grenoble
04.38.78.24.55
En savoir plus
https://www.linkedin.com/in/julien-buckley-6a15784/
