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Effet du rayonnement gamma sur les mémoires non-volatile à base de hafnia pour des applications en envir

Recherche / Thèse 25 à 36 mois

91400 Saclay (France)

Publiée le 15 juin 2026

  • Contrat

    Recherche / Thèse 25 à 36 mois

  • Lieu

    91400 Saclay (France)

  • Date de début

    Dès que possible

  • Salaire

    Information non renseignée

  • Télétravail

    Non spécifié

CEA illustration
Description du sujet de thèse

Domaine

Physique de l'état condensé, chimie et nanosciences

Sujets de thèse

Effet du rayonnement gamma sur les mémoires non-volatile à base de hafnia pour des applications en environnements extrêmes

Contrat

Thèse

Description de l'offre

L'émergence des mémoires ferroélectriques à base de HfO2 a ouvert un nouveau paradigme pour le calcul embarqué à très basse consommation d'énergie. L'oxyde d'hafnium est pleinement compatible avec la technologie CMOS et est intrinsèquement à basse consommation d'énergie, trois ordres de grandeur plus faible que d'autres technologies émergentes de mémoires non-volatile.
Ces avantages s'alignent avec les applications stratégiques dans l'espace, la défense, le médical, la sûreté nucléaire et le transport lourd, où l'électronique doit faire face aux environnements extrêmes d'irradiation.
L'imprint induit un décalage de la réponse polarisation-tension (P-V) sur l'axe du voltage, attribué au piégeage/dépiégeage de charge, épinglement des domaines et aux défauts chargés tels que les lacunes d'oxygène. Tous ces phénomènes peuvent être accentués par l'irradiation.
Le projet utilisera des techniques avancées de spectroscopie des photoélectrons, notamment la photoémission induite par des rayons X durs avec le rayonnement synchrotron, ainsi que des analyses complémentaires de structure par la microscopie électronique à haute résolution, la diffraction des rayons X et la microscopie en champ proche. Les caractérisations expérimentales seront accompagnées par des calculs théoriques pour simuler la réponse du matériau à l'irradiation.
Ce travail sera développé dans le cadre d'une collaboration étroite entre le CEA/Leti à Grenoble, fournissant les échantillons, les dispositifs intégrés et les caractérisations électriques à l'échelle du wafer, et le CEA/Iramis à Saclay où le doctorant sera basé, pour l'ensemble des analyses des propriétés des matériaux, les irradiations, les expériences avec le rayonnement synchrotron et les caractérisation à l'échelle du dispositif.

Université / école doctorale

Physique en Île-de-France (EDPIF)
Paris-Saclay

Localisation du sujet de thèse

Site

Saclay

Critères candidat

Formation recommandée

Master 2 physique

Demandeur

Disponibilité du poste

01/10/2026

Personne à contacter par le candidat

Barrett Nicholas < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRF/IRAMIS/SPEC/LENSIS
DRF/IRAMIS/SPEC
Bâtiment 462
CEA Saclay
91191 Gif sur Yvette
France

0169083272

Tuteur / Responsable de thèse

Barrett Nicholas < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRF/IRAMIS/SPEC/LENSIS
DRF/IRAMIS/SPEC
Bâtiment 462
CEA Saclay
91191 Gif sur Yvette
France

0169083272

En savoir plus

https://iramis.cea.fr/spec/lensis/pisp/nick-barrett-2/
https://iramis.cea.fr/spec/lensis/

Date limite de candidature

Tant que l’offre est en ligne

Niveau d'étude

Doctorat

Fonction

Technologie

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