Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Stage - Développement d'un procédé de transfert de couche mince d'Oxyde de Gallium Ga2O3 pour l'électron
Sujet de stage
L'introduction de nouveaux matériaux semiconducteurs dits à " large bande interdite " est nécessaire à l'amélioration de l'efficacité des systèmes de conversion d'énergie. De la salle blanche aux tests électriques, vous étudierez les propriétés de substrats innovants à base d'oxyde de gallium (Ga2O3) : un matériau prometteur, mais dont certaines limitations inhibent encore le potentiel.
Durée du contrat (en mois)
6
Description de l'offre
Le laboratoire d'accueil est spécialisé dans le développement de procédés de report de couches ultraminces, appliqués à une large gamme de matériaux semiconducteurs, allant du silicium au graphène.
Ces technologies, déjà industrialisées - notamment avec la technologie Smart Cut™ - trouvent des applications dans des domaines clés tels que l'optoélectronique, les antennes radiofréquence, les capteurs ou encore l'électronique de puissance.
En nous rejoignant, vous contribuerez à l'adaptation et à l'optimisation de ces procédés pour de nouveaux matériaux, dont les applications seront appelées à structurer l'industrie française et européenne de demain.
Au sein de l'équipe " Wide Bandgap ", composée de trois ingénieurs, deux doctorants (avec qui vous partagerez vos avancées), un alternant et un technicien, vous travaillerez sur le développement et la caractérisation de substrats innovants à base d'oxyde de gallium Ga2O3.
Vous ajouterez votre touche sur les missions suivantes :
- Fabrication des véhicules de test dédiés en mettant en œuvre différentes étapes technologiques en salle blanche.
- Caractérisation des performances électriques et thermiques des substrats Ga2O3 par différentes techniques de mesure.
- Analyse et interprétation des résultats expérimentaux en lien avec l'architecture des matériaux et leur défectivité.
- Simulations numériques (électrique, thermique) et analyse de cycle de vie pourront également être envisagées.
[For English version, please check the attached document]
Profil du candidat
Qu'attendons nous de vous :
Vous préparez un diplôme de niveau BAC+5 ou équivalent dans le domaine des sciences des matériaux ou de la microélectronique.
Vous êtes passionné.e par la recherche scientifique et technologique et êtes reconnu.e pour votre capacité à résoudre des problèmes complexes, votre adaptabilité et vos aptitudes en communication.
Vous possédez des connaissances en physique des semiconducteurs et en techniques de caractérisation.
L'ouverture à une poursuite en thèse serait un plus.
Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :
- L'opportunité de travailler au sein d'une organisation de renommée mondiale dans le domaine de la recherche scientifique,
- Un environnement unique dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels,
- Une expérience à la pointe de l'innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
- Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
- De réelles opportunités de carrière à l'issue de votre stage
- Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
- Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
- Un équilibre vie privée - vie professionnelle reconnu,
- Un restaurant d'entreprise.
Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés.
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
GRENOBLE
Critères candidat
Langues
Anglais (Intermédiaire)
Diplôme préparé
Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs
Possibilité de poursuite en thèse
Oui
Demandeur
Disponibilité du poste
01/02/2027
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Stage - Développement d'un procédé de transfert de couche mince d'Oxyde de Gallium Ga2O3 pour l'électron
Sujet de stage
L'introduction de nouveaux matériaux semiconducteurs dits à " large bande interdite " est nécessaire à l'amélioration de l'efficacité des systèmes de conversion d'énergie. De la salle blanche aux tests électriques, vous étudierez les propriétés de substrats innovants à base d'oxyde de gallium (Ga2O3) : un matériau prometteur, mais dont certaines limitations inhibent encore le potentiel.
Durée du contrat (en mois)
6
Description de l'offre
Le laboratoire d'accueil est spécialisé dans le développement de procédés de report de couches ultraminces, appliqués à une large gamme de matériaux semiconducteurs, allant du silicium au graphène.
Ces technologies, déjà industrialisées - notamment avec la technologie Smart Cut™ - trouvent des applications dans des domaines clés tels que l'optoélectronique, les antennes radiofréquence, les capteurs ou encore l'électronique de puissance.
En nous rejoignant, vous contribuerez à l'adaptation et à l'optimisation de ces procédés pour de nouveaux matériaux, dont les applications seront appelées à structurer l'industrie française et européenne de demain.
Au sein de l'équipe " Wide Bandgap ", composée de trois ingénieurs, deux doctorants (avec qui vous partagerez vos avancées), un alternant et un technicien, vous travaillerez sur le développement et la caractérisation de substrats innovants à base d'oxyde de gallium Ga2O3.
Vous ajouterez votre touche sur les missions suivantes :
- Fabrication des véhicules de test dédiés en mettant en œuvre différentes étapes technologiques en salle blanche.
- Caractérisation des performances électriques et thermiques des substrats Ga2O3 par différentes techniques de mesure.
- Analyse et interprétation des résultats expérimentaux en lien avec l'architecture des matériaux et leur défectivité.
- Simulations numériques (électrique, thermique) et analyse de cycle de vie pourront également être envisagées.
[For English version, please check the attached document]
Profil du candidat
Qu'attendons nous de vous :
Vous préparez un diplôme de niveau BAC+5 ou équivalent dans le domaine des sciences des matériaux ou de la microélectronique.
Vous êtes passionné.e par la recherche scientifique et technologique et êtes reconnu.e pour votre capacité à résoudre des problèmes complexes, votre adaptabilité et vos aptitudes en communication.
Vous possédez des connaissances en physique des semiconducteurs et en techniques de caractérisation.
L'ouverture à une poursuite en thèse serait un plus.
Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :
- L'opportunité de travailler au sein d'une organisation de renommée mondiale dans le domaine de la recherche scientifique,
- Un environnement unique dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels,
- Une expérience à la pointe de l'innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
- Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
- De réelles opportunités de carrière à l'issue de votre stage
- Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
- Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
- Un équilibre vie privée - vie professionnelle reconnu,
- Un restaurant d'entreprise.
Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés.
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
GRENOBLE
Critères candidat
Langues
Anglais (Intermédiaire)
Diplôme préparé
Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs
Possibilité de poursuite en thèse
Oui
Demandeur
Disponibilité du poste
01/02/2027
