Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Stage - Modélisation de la Diffusion de l'Arsenic dans les Photodiodes pour Imageurs Infrarouges H/F
Sujet de stage
La modélisation technologique de la réalisation de nos photodiodes infrarouges est un enjeu majeur pour leur conception et leur optimisation. Parmi les étapes de fabrication, la diffusion de l'Arsenic dans le HgCdTe reste un phénomène complexe à modéliser. L'enjeu de ce stage est de contribuer à améliorer notre modèle actuel sur la base de données expérimentales (de type SIMS) par l'analyse, le tri, la calibration et l'optimisation.
Durée du contrat (en mois)
3-6 mois
Description de l'offre
Nous rejoindre, pour quoi faire ?
Composé d'une vingtaine de personnes, notre laboratoire est spécialisé dans la caractérisation électro-optique des photodiodes et imageurs infrarouge ; en tant que stagiaire M1 ou M2, votre mission consistera à :
- Analyser les données expérimentales et les préparer pour la modélisation,
- Vous familiariser avec le modèle de diffusion existant et contribuer à son amélioration,
- Etalonner le modèle sur les données SIMS pertinentes et proposer une interprétation physique des phénomènes microscopiques sous-jacents
Le développement de la filière P sur N nouvelle génération se poursuit avec une extension sur toutes les bandes (du VLWIR au SWIR). Cette technologie repose sur la maîtrise du dopage P réalisé par l'incorporation d'Arsenic dans une épitaxie de HgCdTe. Pendant la phase d'activation, le dopant migre suivant une loi complexe encore mal comprise. Ce stage s'inscrit dans cet effort de compréhension des phénomènes de diffusion de l'Arsenic via la modélisation. Le modèle s'appuie sur une plateforme ouverte en langage C du logiciel VictoryProcess de Silvaco.
Moyens / Méthodes / Logiciels
Environnement Linux, langage C, Python, logiciels de mathématique (type Matlab)
Profil du candidat
Qu'attendons-nous de vous ?
Vous êtes étudiant M1 ou M2 ou équivalent en école d'ingénieurs, dans le domaine de la physique des semiconducteurs et avez envie d'une expérience riche dans le monde de la recherche appliquée.
Vous êtes à l'aise avec l'environnement Linux, le langage C, Python ou les logiciels de mathématiques (type Matlab).
Vous êtes curieux, perspicace et savez développer votre autonomie.
Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :
Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques.
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
Grenoble
Critères candidat
Langues
Diplôme préparé
Bac+4 - Master 1
Formation recommandée
Niveau Master 1 ou 2 ou équivalent école d'ingénieurs
Possibilité de poursuite en thèse
Non
Demandeur
Disponibilité du poste
01/02/2027
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Stage - Modélisation de la Diffusion de l'Arsenic dans les Photodiodes pour Imageurs Infrarouges H/F
Sujet de stage
La modélisation technologique de la réalisation de nos photodiodes infrarouges est un enjeu majeur pour leur conception et leur optimisation. Parmi les étapes de fabrication, la diffusion de l'Arsenic dans le HgCdTe reste un phénomène complexe à modéliser. L'enjeu de ce stage est de contribuer à améliorer notre modèle actuel sur la base de données expérimentales (de type SIMS) par l'analyse, le tri, la calibration et l'optimisation.
Durée du contrat (en mois)
3-6 mois
Description de l'offre
Nous rejoindre, pour quoi faire ?
Composé d'une vingtaine de personnes, notre laboratoire est spécialisé dans la caractérisation électro-optique des photodiodes et imageurs infrarouge ; en tant que stagiaire M1 ou M2, votre mission consistera à :
- Analyser les données expérimentales et les préparer pour la modélisation,
- Vous familiariser avec le modèle de diffusion existant et contribuer à son amélioration,
- Etalonner le modèle sur les données SIMS pertinentes et proposer une interprétation physique des phénomènes microscopiques sous-jacents
Le développement de la filière P sur N nouvelle génération se poursuit avec une extension sur toutes les bandes (du VLWIR au SWIR). Cette technologie repose sur la maîtrise du dopage P réalisé par l'incorporation d'Arsenic dans une épitaxie de HgCdTe. Pendant la phase d'activation, le dopant migre suivant une loi complexe encore mal comprise. Ce stage s'inscrit dans cet effort de compréhension des phénomènes de diffusion de l'Arsenic via la modélisation. Le modèle s'appuie sur une plateforme ouverte en langage C du logiciel VictoryProcess de Silvaco.
Moyens / Méthodes / Logiciels
Environnement Linux, langage C, Python, logiciels de mathématique (type Matlab)
Profil du candidat
Qu'attendons-nous de vous ?
Vous êtes étudiant M1 ou M2 ou équivalent en école d'ingénieurs, dans le domaine de la physique des semiconducteurs et avez envie d'une expérience riche dans le monde de la recherche appliquée.
Vous êtes à l'aise avec l'environnement Linux, le langage C, Python ou les logiciels de mathématiques (type Matlab).
Vous êtes curieux, perspicace et savez développer votre autonomie.
Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :
- Un cadre de recherche unique, dédié à des projets ambitieux au service des grands enjeux sociétaux
- Un environnement de travail high-tech et des équipements de recherche à la pointe de l'innovation
- Un campus au cœur de la métropole, facilement accessible en mobilité douce
- Une participation aux frais de restauration, de transport et de logement (sous conditions)
- Des encadrants bienveillants, passionnés et ayant l'envie de transmettre
- Une politique diversité et inclusion
- De réelles opportunités de carrière à l'issue de votre stage
Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques.
Localisation du poste
Site
Grenoble
Localisation du poste
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Ville
Grenoble
Critères candidat
Langues
- Français (Intermédiaire)
- Anglais (Intermédiaire)
Diplôme préparé
Bac+4 - Master 1
Formation recommandée
Niveau Master 1 ou 2 ou équivalent école d'ingénieurs
Possibilité de poursuite en thèse
Non
Demandeur
Disponibilité du poste
01/02/2027
