Aller au contenu

Modélisation et caractérisation des transistors CFET pour l'amélioration des performances électriques

Recherche / Thèse 25 à 36 mois

Grenoble (France)

Publiée le 15 juin 2026

  • Contrat

    Recherche / Thèse 25 à 36 mois

  • Lieu

    Grenoble (France)

  • Date de début

    Dès que possible

  • Salaire

    Information non renseignée

  • Télétravail

    Non spécifié

CEA illustration
Description du sujet de thèse

Domaine

Défis technologiques

Sujets de thèse

Modélisation et caractérisation des transistors CFET pour l'amélioration des performances électriques

Contrat

Thèse

Description de l'offre

Les transistors CFET (Complementary Field Effect Transistors) représentent une nouvelle génération de dispositifs CMOS empilés verticalement, offrant un fort potentiel pour poursuivre la miniaturisation des circuits intégrés et répondre aux exigences du calcul haute performance.

L'objectif de cette thèse est d'étudier et d'optimiser la mise en contrainte du canal de conduction afin d'accroître la mobilité des porteurs et d'améliorer les performances électriques des CFET. Le travail portera à la fois sur la modélisation numérique des procédés technologiques, réalisée par éléments finis, et sur la caractérisation expérimentale des déformations cristallines à l'aide de la microscopie électronique en transmission couplée à la diffraction électronique précessionnée (TEM-PED).

La partie modélisation visera à prédire les distributions de contraintes et leur impact sur les propriétés électriques, en intégrant la complexité des empilements technologiques et des étapes critiques du procédé, telles que l'épitaxie. En parallèle, la caractérisation par TEM-PED permettra de mesurer les champs de déformation et de confronter les simulations aux observations expérimentales.

L'ensemble du travail consistera à développer des outils de modélisation et des méthodologies de caractérisation adaptés à ces structures avancées, afin d'améliorer la précision spatiale, la reproductibilité et la compréhension des mécanismes de contrainte au cœur des transistors CFET.

Université / école doctorale

Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes

Localisation du sujet de thèse

Site

Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

Nanosciences, nanotechnologie

Demandeur

Disponibilité du poste

01/10/2026

Personne à contacter par le candidat

JARJYES Sylvie < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/CEAGRE
71 avenue des Martyrs 38000 Grenoble
04.38.78.46.68

Tuteur / Responsable de thèse

BARRAUD Sylvain
CEA
DRT

En savoir plus

Date limite de candidature

Tant que l’offre est en ligne

Niveau d'étude

Doctorat

Fonction

Technologie

Plus d’infos sur l’entreprise

CEA

Nos énergies pour l'avenir