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Modélisation et caractérisation des transistors CFET pour l'amélioration des performances électriques

Forskning / PhD 25 til 36 måneder

Grenoble (France)

Offentliggjort den 15. juni 2026

  • Opslagstype

    Forskning / PhD 25 til 36 måneder

  • Sted

    Grenoble (France)

  • Startdato

    Så hurtigt som muligt

  • Løn

    Oplysninger ikke angivet

  • Hjemmearbejde

    Ikke specificeret

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Description du sujet de thèse

Domaine

Défis technologiques

Sujets de thèse

Modélisation et caractérisation des transistors CFET pour l'amélioration des performances électriques

Contrat

Thèse

Description de l'offre

Les transistors CFET (Complementary Field Effect Transistors) représentent une nouvelle génération de dispositifs CMOS empilés verticalement, offrant un fort potentiel pour poursuivre la miniaturisation des circuits intégrés et répondre aux exigences du calcul haute performance.

L'objectif de cette thèse est d'étudier et d'optimiser la mise en contrainte du canal de conduction afin d'accroître la mobilité des porteurs et d'améliorer les performances électriques des CFET. Le travail portera à la fois sur la modélisation numérique des procédés technologiques, réalisée par éléments finis, et sur la caractérisation expérimentale des déformations cristallines à l'aide de la microscopie électronique en transmission couplée à la diffraction électronique précessionnée (TEM-PED).

La partie modélisation visera à prédire les distributions de contraintes et leur impact sur les propriétés électriques, en intégrant la complexité des empilements technologiques et des étapes critiques du procédé, telles que l'épitaxie. En parallèle, la caractérisation par TEM-PED permettra de mesurer les champs de déformation et de confronter les simulations aux observations expérimentales.

L'ensemble du travail consistera à développer des outils de modélisation et des méthodologies de caractérisation adaptés à ces structures avancées, afin d'améliorer la précision spatiale, la reproductibilité et la compréhension des mécanismes de contrainte au cœur des transistors CFET.

Université / école doctorale

Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes

Localisation du sujet de thèse

Site

Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

Nanosciences, nanotechnologie

Demandeur

Disponibilité du poste

01/10/2026

Personne à contacter par le candidat

JARJYES Sylvie < email slettet af sikkerhedsmæssige årsager >
CEA
DRT/CEAGRE
71 avenue des Martyrs 38000 Grenoble
04.38.78.46.68

Tuteur / Responsable de thèse

BARRAUD Sylvain
CEA
DRT

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Ansøgningsfrist

Så længe stillingen er online

Uddannelsesniveau

Ph.d

Funktion

Teknologi

Flere oplysninger om virksomheden

CEA

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