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Nouvelles méthodologies d'analyse de l'impact des défauts cristallins sur les performances électriques d

Forskning / PhD 25 til 36 måneder

Grenoble (France)

Offentliggjort den 29. juni 2026

  • Opslagstype

    Forskning / PhD 25 til 36 måneder

  • Sted

    Grenoble (France)

  • Startdato

    Så hurtigt som muligt

  • Løn

    Oplysninger ikke angivet

  • Hjemmearbejde

    Ikke specificeret

CEA illustration
Description du sujet de thèse

Domaine

Défis technologiques

Sujets de thèse

Nouvelles méthodologies d'analyse de l'impact des défauts cristallins sur les performances électriques des dispositifs de puissance SiC

Contrat

Thèse

Description de l'offre

Dans nos études sur les dispositifs de puissance SiC, l'analyse des performances électriques sur les diodes doit prendre en compte l'impact des défauts dans le matériau au niveau de l'épitaxie et du substrat.
Dans un premier temps, le travail de thèse consistera à mettre en place des outils dédiés à nos besoins dans l'équipe SiC. Le cahier des charges de ces outils a d'ailleurs déjà été établi dans le cadre du stage actuellement en cours au sein du laboratoire LAPS. Ces outils d'IA vont pouvoir être entrainés sur des jeux de données déjà existants (lots diode SiC : avec data électriques, mappings de défauts) et compléter les analyses précédemment réalisées en " manuel ".
Dans un second temps l'utilisation des outils développés sera appliquée aux nouveaux lots fabriqués et caractérisés. L'éventail de données sera alors complété en considérant des nouvelles architectures de composants (diodes ET MOSFET de puissance), des nouvelles caractérisations des matériaux (carac. défauts issus d'autres outils en cours d'installation au Leti, voire avec des collaborateurs extérieurs : cf Ligne Pilot WBG, cf Soitec), des nouvelles entrées (images de défectivité, obtenues durant la fabrication des composants).
Notons que la démarche s'applique i) dans le cas de la puissance aux autres matériaux (GaN, diamant, Ga2O3...), ii) aussi potentiellement à toute filière de composants sur semiconducteur (mémoire, transistor, photonique, quantique...).

Université / école doctorale

Localisation du sujet de thèse

Site

Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

Master 2, ou Ecole d'ingénieur (avec volet IA, ML)

Demandeur

Disponibilité du poste

01/10/2026

Personne à contacter par le candidat

LE ROYER Cyrille < email slettet af sikkerhedsmæssige årsager >
CEA
DRT/DCOS/SITEC/LAPS
17 rue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
04 38 78 10 66

Tuteur / Responsable de thèse

En savoir plus

https://www.linkedin.com/in/cyrille-le-royer-semiconductors/

Ansøgningsfrist

Så længe stillingen er online

Uddannelsesniveau

Ph.d

Funktion

Teknologi

Flere oplysninger om virksomheden

CEA

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